SI1058X-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI1058X-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Vishay Intertechnology SI1058X-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: 1.3A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: - Drain Source Voltage Vds: 20V Drain To Source Voltage (vdss): 20V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 5.9nC @ 5V ID_COMPONENTS: 2663577 Input Capacitance (ciss) @ Vds: 380pF @ 10V Mounting Type: Surface Mount On Resistance Rds(on): 124mohm Package / Case: * Power - Max: 236mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V Rds(on) Test Voltage Vgs: 12V Series: TrenchFET?® Threshold Voltage Vgs Typ: 12V Transistor Polarity: N Channel Vgs(th) (max) @ Id: 1.55V @ 250?µA
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI1058X-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 129,38 KB